Memorias DRAM basadas en el nanómetro

El aumento de la capacidad de almacenamiento de las memorias a través de la nanotecnología, que se basa en la billonésima parte de un metro, está teniendo cada vez más adeptos.

Por un lado, Samsung está desarrollando un chip para dispositivos móviles, como celulares, cámaras digitales y reproductores de MP3, que permitirá aumentar la capacidad de su memoria DRAM a 1Gb. Con esta creación, la compañía se convertiría en la primera en utilizar tecnología de 80 nanómetros en todo el mundo. Aunque recién estaría al alcance del público para la segunda parte del año próximo.

Sin embargo, Hynix tendría disponible para la primera mitad de 2007 una memoria DRAM que utiliza esta tecnología, pero esta es de 60 nanómetros. Su capacidad es de 1 Gb y es más veloz que las actuales, llegando a los 800 MHz a diferencia de las que hay ahora de este tipo que llegan a 667 MHz.

Asimismo, unos meses atrás IBM exhibió en la feria de Hannover el prototipo de un chip que también utiliza la nanotecnoglogía, con características de mayor almacenaje que los actuales, aunque aun faltaba determinar algunos puntos de resistencia por lo que se preveía que recién se podría presentar al mercado en tres años.

Estos desarrollos marcan una interesante perspectiva para el futuro ya que, como vemos, los fabricantes están cada vez más interesados en este tipo de aplicaciones. Eso si, para que estén en el mercado, por ahora hay que sentarse y esperar.

Más información:

http://www.idg.es/pcworld/index.asp?link=estructura%2Fi_noticia_centroNoticia.asp&seccion=Noticias&IdNoticia=87331200

http://www.samsung.com/ar/presscenter/samsunginpress/samsunginpress_20061228_0000308802.asp

http://www.idg.es/pcworldtech/mostrarNoticia.asp?id=87226998&seccion=infraestructura

http://conosur.cio.com/tecnologia/6204.php